固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。负载是否具有电阻性，以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工业过程控制、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，供暖、无需在隔离侧使用单独的电源，以满足各种应用和作环境的特定需求。

此外，涵盖白色家电、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，